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產(chǎn)品
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7nm微電子器件教學(xué)套件
主要特性

●使用真實(shí)工業(yè)數據進(jìn)行教學(xué): 基于真實(shí)的工業(yè)器件數據,開(kāi)展器件特性分析、建模與仿真實(shí)踐,幫助教師和學(xué)生進(jìn)行半導體教學(xué)。
●綜合全面: 能夠演示大多數最新的半導體器件類(lèi)型(如 FinFET, 28nm CMOS, SOI, Bipolar, III/V 及無(wú)源器件),和典型電路例如環(huán)形振蕩器和 SRAM。通過(guò)真實(shí)工業(yè)數據與實(shí)踐,更有效地闡明器件物理及建模原理。
●與時(shí)俱進(jìn)及可拓展: 內含最新器件類(lèi)型(如 FinFET,GaN),模擬器可隨未來(lái)行業(yè)技術(shù)發(fā)展進(jìn)行同步更新。

概述 產(chǎn)品規格 附件和保修 資料下載

當前工藝已經(jīng)進(jìn)入7nm FinFET 時(shí)代(如:蘋(píng)果A13處理器、華為麒麟980處理器、高通驍龍855處理器),結合20年工業(yè)界Foundry服務(wù)經(jīng)驗,我們推出了7nm微納電子器件教學(xué)套件,縮小高校教學(xué)與工業(yè)界的gap。

1. 真實(shí)工業(yè)數據虛擬化的器件和典型電路單元:
7nm FinFET;HEMT GaN;28nm & 180nm NMOS&PMOS;LDMOS;TB SOI&FD SOI;NPN&PNP BJT;Diode;Resistor;Capacitor;Varactor;JFET;TFT;SRAM;RO

2. 虛擬化測試儀器
源測試單元:測量器件的IV特性
LCR Meter:測量器件的CV特性

3. 虛擬化測量環(huán)境
外界溫度:可進(jìn)行高低溫測試
測量時(shí)間:用于可靠性測試如HCI,NBTI等
輻照劑量:器件在空間應用的相關(guān)特性

 

7nm 微納電子器件教學(xué)套件技術(shù)資料

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